我们平常所说的内存最核心的技术在于内存颗粒（DRAM），国产内存颗粒和国际上最直接的差距：目前DDR4内存已经成为绝对主流的今天，国产内存目前最先进的还仅仅是DDR3。不要看前段时间曝出的国产DDR4内存新闻，那张照片很明显就是一个DDR3内存，国内目前还没有量产DDR4内存的能力，紫光也对此进行了证实，研发进度究竟到了什么程度也很难说，希望能像紫光说的那样在2018年开始推向市场。

前段时间曝出的国产“DDR4”内存

内存颗粒虽说有些方面可能不像CPU那样研发门槛这么高，但是仍然是对技术要求很高的半导体产业，设计团队不仅要有优秀的电路设计能力，长期的经验积累也很重要，能生产内存颗粒的厂商全球就剩那么几家了，三星又是其中的领头羊，没有几把刷子是做不到现在的程度的：

一、三星的内存生产工艺已经达到了10nm级，速度比上代快10%，功耗也会降低15%，同时更先进的工艺也会保证更小的芯片面积、更大的产量和更低的成本。然而国内目前的内存工艺还是在28nm，差距甚大，生产工艺技术至少有2年的代差。

二、三星具备丰富的内存颗粒设计制造经验，早在1983年就已经开始筹备内存颗粒的研发，90年代又开始建设自己的晶圆厂来生产内存颗粒，从而建设起来坚固而稳定的内存生产线。

三、三星内存技术的进步和强大也离不开韩国政府倾国力的支持和具备魄力的三星领导班子，更有企业当初从上而下的凝聚力和勇气。

四、三星的一大优势就是强大的全产业链整合能力，其不仅有内存芯片，还有液晶面板，电视电脑、手机产品、SOC等等。这样垂直式的产业链能让三星以最快速度反映市场的需求，抗风险能力很强，也更容易达成内存等产品与终端产品的协调整合。

目前全球整个内存市场的价格和供给量大部分都掌握在三星的手里，加上海力士和美光这就是90%的市场占有率，借助2017年开始的内存价格大涨，三星也是赚了个盆满钵满，利润率大增。

如今越来越多的产品需要大容量的内存颗粒作支撑，国内庞大的手机、平板、电视等设备需求量很大，三星所操纵的内存市场给国内设备厂商造成了很大的成本压力，然而最终还会转嫁到消费者身上。所以说国产内存目前的形势非常紧迫，必须尽早推出自己的DDR4内存，并在一定程度上打破垄断。

西安紫光的官网，内存芯片产品列表里最高就是DDR3

就目前来看，西安紫光的DDR3内存产量就比较捉襟见肘，即使乐观说今年能推出DDR4内存，恐怕也是在一些商用领域试水，不会大规模量产，另外紫光近两年的重点恐怕还是会放在武汉长江存储那边的3D NAND闪存上，预计国产NAND闪存2018第四季度就能量产，这也将非常值得期待，至于国产DDR4内存颗粒，因为本身基础差，底子薄，先不说能不能打破三星垄断，恐怕走进我们普通消费者还是需要相当长的时间。

B站有个视频测评同平台横向对比了紫光和三星还有金士顿的D3-1600普条，至少超频能力上面紫光普条干掉了另外两个条子。出了没多久所以稳定性方面还要经过时间考验。这儿三星水军势力强大，但是事实就是国产不像他们贬低的那么差，D3出了D4不会太远了，三星的好日子快到头了，这是不可逆的。韩国充其量是我们经济发达省份一省的实力，就算是他们的国家支柱三星，也没有可能长久的和中国的国家资本比拼并且永远占有优势，何况它的技术不过都是美日给的，而不像美日对中国从技术到设备处处设卡，但是只要一个瓶颈被突破了，实现了从无到有的转变，没有任何一项技术中国不能对韩国实现反超的。

一个已经上市了，卖得非常火。一个还没有上市，在网上非常火。而且还没有出现国产内存已经把三星秒的连渣都不剩了。如果要是出现了，那还得了。以后如果出来的话，希望那些奸商放过我们这些消费者，我看了一下，同一款内存的话，在国外价格是国内的一半还不到。三星供给给所有国家的内存价格都差不多，经过国内厂商这么一加价，翻了几倍有余。

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内存的生产厂家主要有三星、美光、SK海力士，其中三星在全球份额最大。

• 虽然三星的手机业务在中国已经凉凉，凭借着内存的一波涨价，损失彻底弥补；
  

• 手机还有华为可以一战，内存就只有看紫光国徽的了。
  

那么，国产内存和三星究竟有多大差距呢？

国产内存现状

虽然紫光在2018年初就已经开始研制，但是近期才传出新的消息。

“公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成，正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善，产能仍然很难保证。”

• 官网查看了一下，主要的产品还是DDR3；
  

• 至于具体的性能，这里就不进行测试了，DDR4将会吊打DDR3。
  

三星内存现状

1983年三星就已经开始了内存制造，具有丰富的内存颗粒制造经验。

• 三星的内存生产工艺已经达到了10nm级，速度更快，功耗更低；
  

• 就连国内手机巨头，华为的存储芯片都要依靠三星来进行供给；
  

• 并且三星具备完整的产业链条，具有内存定价的话语权。
  

不得不说，国产芯和三星等国际巨头差距较大，仍需努力。

大家觉得国芯是否能够实现赶超三星？

欢迎大家留言讨论，喜欢的点点关注。

我就这样说吧，比三星稍微低一档的海力士内存，所有良品全送回韩国，在加工中工艺问题导致的1等不良是卖给金士顿的，其余卖不掉的还会有国产厂家来收，毕竟中国的硅片生产可是比韩国落后10年。

我说的可能不一定准，因为我只能描述目前和之前的状态，至于以后的状态，还需要继续观望。国产内存和三星内存最大的差别就是：一个你可以立刻的市场上买到，另外一个不知道什么时候才能买到。

国产内存与三星的差距，好比只参加过校内运动的中学生与正值巅峰的运动员共同参加比赛，现在被人轻松碾压都是正常的，但是差距未来有可能缩小，最终平级甚至被国产反超。

三星日前发布了2018年Q1季度财报，营收599.6亿美元，同比增长20%，但是净利润108亿美元，同比大涨52%，其中的主要功臣就是半导体业务，芯片业务占到利润总额的75%，内存、闪存功不可没。

根据市场统计，三星在全球DRAM内存市场上的占有率达到了45.8%，第二名的SK Hynix为28.7%，美光为21%，三星一家就占了全球将近一半的DRAM内存芯片市场，去年全球存储芯片产值1320亿美元，内存芯片大约占740亿美元，三星的比重可见一斑。

三星在内存产业上的强势有多方原因，韩国国家支持、三星起步较早等原因之外，单看产能、技术等方面我们也要知悉中国与三星的差距有多大。首先来说产能，三星2017下半年的存储芯片晶圆产能就达到了每月39万片，去年还在韩国平泽市建设了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圆厂），主要用于12英寸内存芯片生产，建成后三星的DRAM内存产能将增加20%左右，2018年预计月产能可达50万片晶圆/月。

至于中国内存芯片的产能，别说某一家公司，算上未来的长江存储、合肥长鑫以及福建晋华，这三家近两年新建设的产能合计不过48万片晶圆/月，而且长江存储的30万片晶圆/月产能还是给3D NAND闪存的，内存领域的产能差距可见就有多大了。

再说技术水平上的，三星全球份额最大，不仅是因为他们全球产能最大，也跟三星的技术领先有重大关系，三星在2014年就量产了20nm工艺的DDR3内存，2016年又率先量产了18nm工艺的DDR4内存芯片，Die核心容量也从之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，单条128GB容量的内存不是梦，每次量产新工艺内存至少要比SK Hynix、美光量产时间领先2年之多。

内存芯片工艺路线图

有回答说三星的内存芯片是10nm的，实际上这是三星宣传中的一个小花招，10nm Class并不是特指10nm工艺，而是20nm以内的都可以叫做10nm Class级别的，在18nm（1X）工艺之后三星还在研发1Y、1Z nm内存芯片，分别指代14到16nm、12到14nm之间的内存芯片，不出意外的话，三星还会继续保持技术的领先。

至于国产内存，目前国内公司能够染指的主要是DDR3内存，特别是西安紫光国芯，不过紫光这个也是早前德国英飞凌科技的遗产，这个部门是紫光公司买来的。官网上能少量提供DDR3内存芯片，DDR4说是在今年下半年量产问世。

即便是DDR3，国产内存在技术规格上也落后许久，这不是说DDR3规范落后，而是DRAM芯片的差距，从此前测过的紫光DDR3内存来看，8GB单条是正反面16颗闪存布局，每个芯片容量从512Mb，核心容量是4Gb的，制程工艺未知，但是国内目前掌握的工艺至少要落后国际先进水平三代以上，大概率是30nm以上的工艺，能耗肯定比现有产品要高。

除了紫光国芯，其他公开进军内存市场的还有兆易创新，此前他们宣布联合合肥产业控股集团斥资180亿人民币研发内存芯片，制程工艺为19nm，预计在今年底之前研发成功，这个技术水平已经很先进了，可惜的是这次的研发只是实验性的，即便研发成功了，芯片良率要求也不过是10%，根本没可能量产上市，不然成本贵的要死了。

总之，在内存领域中国公司与三星的差距是天翻地覆的，大概是10分考生与99分学霸的对比，不过中国现在也在大力发展存储芯片产业，投资强度大，产能增长的很快，各地都在新建晶圆厂，数年内产能追上三星并不意外，技术、人才上的差距则需要时间来不断试错、不断提升。

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差距是非常非常大的，靠一些情怀跟YY式的吹捧，应当是没法跟三星抗争。目前国内只能生产DDR3内存，但还没有达到大规模上市的程度，至于DDR4内存，国内还没有任何一家企业能够制造出来。而且DDR3内存价格也不会是白菜价，这个放心，有些人还真的很天真，以为国产内存一上市，就能打得三星、海力士和镁光全都丢盔卸甲，哭着喊着要降价。别做梦了，有时间不如多看看抗日神剧，更有助于YY。

现在网上有两种风气，一种就是盲目的自大，以军事自媒体为主，什么标题都是吓哭美日了，震惊全世界。还有一种是跪舔，一个劲的自黑，吹捧美日有多强，有多牛，有多好。这二种心态，都是不正常的，都是不值得推广的。

作为消费者，要理性看待这些问题，虽然现在国产内存和三星差距比较大。但不用担心，毕竟我们正在慢慢追赶。虽然现在与三星的差距很大，但是只要努力追赶，差距总会慢慢缩小的。也许多年以后，我们国产的内存就能超越三星了。

三星已经将10nm的技术应用于DRAM之中，国内目前还处在28nm的阶段，正在努力向19nm工艺DRAM内存努力。

三星的已经开始规划建议三代10nm DRAM生产线和第六代NAND闪存工厂。国内目前真正能有成品上市的只有紫光的DDR3内存，但量很少。

至于市场用有率，研究实力这些，就不多说了。

但我对国产内存有信心，就像多年以前，液晶显示屏，基本上都是国外企业垄断，但现在很多产品上使用的屏幕，都是国产的。

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中国对半导体产业的巨大投入，2018将全面结出硕果。不仅是电脑内存；而是商用、个人电脑、智能手机、全系数字化产品半导体晶圆、量子级解决方案。花2000亿美金进口半导体的年代将一去不复返了。半导体晶圆世界第一出口大国 MADE IN CHINA。

从技术上讲目前国产内存和三星还有不小的差距，但好消息是，国产内存行业正在崛起。

首先我们要了解三星的实力也不是一天建成的，早在上世纪90年代三星就开始建设晶圆厂生产内存颗粒；经过了几十年的努力，三星占据了DRAM市场的半壁江山，加上SK海力士市场占有率达到70%，如果再算上镁光的话这三家的市场占有率达到了95%。在这样一个高度垄断的市场里，中国企业进入的难度是巨大的。

目前中国存储行业主要有三大阵营：长江存储、福建晋华和合肥长鑫。长江存储主攻NAND Flash；福建晋华专注于利基型DRAM的开发；而合肥长鑫主攻移动DRAM。其中，移动DRAM是市场份额最大，技术难度最高以及竞争最激烈的领域，目前DDR4内存芯片已经成了绝对主流。

为了方便比较，我们以主攻移动DRAM的合肥长鑫为例。按照最新的时间表，合肥长鑫将在2018年底生产8Gb DDR4工程样品，2019年底产能达到2万片/月，2021年完成17纳米技术研发。

对比三星的DRAM技术路线图，目前三星已经在研发18纳米以下的工艺，到2020年将会达到10纳米并全面进入DDR6时代。

从这个简单的对比不难看出，目前国产内存无论是在技术还是在量产能力上都和三星有着不小的差距，毕竟我们是从前几年才开始全面布局存储芯片产业的。

但是从存储器产品中的DRAM产业来看，中国在发展策略上并非杂乱无章。以技术布局的角度观察，中国DRAM领域中除了绘图用内存未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。以目前现况来看，中国发展存储器的策略能否成功，未来的3~5年将是极其重要的关键期。