一、体现在表像的是精度

说起光刻机，大家喜欢和芯片制造对应起来，比如制造7nm芯片的光刻机，制造14nm的光刻机等等。

目前中国最强的量产的光刻机是用于90nm的芯片的制造，而ASML量产的用于5nm芯片的制造的，这中间有多少差距，可能一般人还不太清楚。

用时间来说，起码10年，如果用继续用芯片制造的精度来看，中间有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm。多少代，大家一年就清楚了，这可是实打实的差距。

二、实际是装配工艺、经验、人才的差距

而在相差这么远的背后，究竟差的是什么？其实是装配工艺、人才、经验的差距。

网上曾流传一句说，ASML说就算公开图纸，别人也造不出一样的光刻机出来，这句话背后的底气在哪里？

1、装配工艺，光刻机中装配是非常重要的，说得不好听一点，就是组装技术，ASML的原件99%也是采购的，但只有它能够装配得这么好，别人都不行。

2、而装配工艺的差距，就是人才、经验的差距，只有好的人才、几十的经验，才能够让装配工艺提高，达到真正的顶级水平。

在问答上的643个问题，只写接地气的科技内容，欢迎关注。

不少人在半导体方面有一个误区，认为中国之所以无法在半导体产业有比较好的发展，落后于西方国家，主要原因是无法生产顶级的光刻机设备。而实际上，光刻机这个东西，虽然在芯片制造过程中起到了非常关键的作用，但是整个芯片从设计到制造再到商用，中间的链条上还有很多其它因素制约着我们。

原子弹与处理器

实际上原子弹的核心意义，只是起到一个威慑的作用：你有，我没有，我就担心你对我使用核打击；你有，我也有，我就不担心你使用核打击。因此原子弹这个东西就是所谓的“One is enough.”。不管是1万吨还是100万吨，我对你都具有威慑能力，再加上两弹结合，可以实现精准打击，双方就形成了一种制约。
因此原子弹不用考虑是否可以赚钱，本来就是军事用途；不用考虑研发成本，国家战略能够投入多少就投入多少；不用考虑质量问题，造10枚只有1枚合格，跟造100枚100枚都合格，是一样的，因为根本就用不上......实际上第一个造出原子弹的国家才是最辛苦的（美国的曼哈顿计划），后面的国家想要仿制只会越来越简单。

芯片这个东西不一样，芯片是商用的产品（抛开各国军用的我们不说，这个层面都是关起门来各家玩各家的），不仅仅要造得出来，而且你还得确保有性能上出色，质量上要可靠，工艺上要很先进，要确保可以大批量生产，而且你得拥有广阔的市场能够吃下你的产能。
换句话说，这个世界上，无论你是谁，主要打算做处理器这个东西，那么你唯一要考虑的东西就是：自己是不是可以造出比英特尔芯片价格更低，性能上差不多，质量上可靠，能够充足供货的产品。如果可以，那么你就可以在市场上生存下去，比如说AMD家的处理器。如果不行，那么这个行业压根就不会买单，因为没有人会去购买性能落伍的产品。
可能上面用英特尔举例子不太准确，我只是想说明：造芯片这个东西，很多国家都可以造，中国也有技术制造自己的处理器，但是造出来没有市场。因为芯片产业永远没有“差一点”的芯片，英特尔在桌面处理器领域之所以能够稳坐第一名，主要是源源不断向市场输送大量优质且便宜的处理器，市场份额足够大，能够充分摊平成本，现在一枚i5处理器，在某宝上也就一千几百多块钱，普通家庭完全可以负担。

上游供应商是最大的问题

• 第一个是AMAT（应用材料公司），美国企业，全球最大的半导体材料供应商，本质上就是能否开采纯度足够高的多晶硅原材料。
• 第二个是ASML（艾司摩尔），荷兰企业，全球最好的光刻机制造商，也就是问题上的荷兰厂商，目前全球唯一可以生产7nm工艺光刻机的企业。
• 第三个是Lam Research（科林研发），美国企业，全球最大的晶圆制造设备制造商，晶圆你可以理解成处理器的最初形态，需要不断加工最后变成芯片。
• 第四个是LKA-Tencor（科磊），美国企业，全球最大的晶圆检测设备制造商。
• 第五个是Dainippon Screen（迪恩仕），日本企业，全球领先的半导体生产设备制造商。

这五家企业，从原材料开采，到生产制造，到最后的质量检测，全产业线覆盖。坦率的讲，如果没有这些头部的供应商，什么英特尔、AMD、三星电子、台积电、联发科，统统都得挟菜。这里面1家是欧洲企业，1家是日本企业，3家是美国企业。角度放得再高一点，这些企业都是资本主义阵营的企业。因此我们要说现在半导体产业掌握在美国人手中也没什么毛病。当然，近半个世纪以来日本人在半导体行业也做出了非常大的贡献，可以具体了解了解佳能和尼康两个“相机厂商”真正赚钱的是什么业务。

因此在供应链上有差距，导致中国无法自主制造出高性能，并且能够大规模商用的芯片，也就导致了在芯片行业上发力不足的表现。更何况在人才培养上面，中国由于某个些特殊历史问题，导致人才培养发展断层了10年，这是最惨痛的教训。即便是今天，中国在半导体行业的人才缺口依旧高达40万。如果你家里有孩子准备读大学，那么可以建议去考微电子专业，当然，收分不低，不超过一本线大几十分还是别想了。

目前威胁已经很大

纵观目前的电脑和芯片市场，桌面端处理器英特尔第一，AMD第二，两家吃掉了市场上几乎99%的份额，绝对的寡头垄断地位。其它国家的企业想要超越几乎已经不可能，这个已经不是技术上面的差距问题，更多是生态捆绑利益共享的问题。

比如说光刻机这个东西，荷兰ASML制造的光刻机是世界顶级的，最高可以卖到1亿美元一台，已经超过了波音777客机的售价，而且每年的产能不过十几台，早都被英特尔、台积电这个企业预订了，其它企业没钱，也压根拿不到货。
比如说英特尔和微软自建相互捆绑销售的PY协议，也就是臭名昭著的“安迪比尔”定律。微软负责不断升级系统，吃掉英特尔处理器的性能，而英特尔确保不断推出高性能的处理器提供给消费者。这样一来迫使消费者需要不断换新产品。

那么既然说起了换新这个东西，怎么少得了手机这个行当。目前国产手机确实在全球市场表现不错，华为超越苹果出货量排名全球第二，后面的小米、OPPO、vivo这些品牌加起来，中国品牌的出货量超过了全球出货量的一半。

不过问题在于，目前除了华为一家是在采用自己的麒麟处理器之外，其它的几家使用的全部是第三方厂商提供的解决方案，无论是高通还是联发科。这样带来的问题会是：如果某天，美国像打压华为那样打压其它国产品牌的时候，怎么办？处理器作为手机最关键的零部件，实际上中国品牌也是被掐着脖子在走。
更大的问题在于，即便华为目前已经掌握了手机处理器和基带芯片的设计能力，但是最终落实到制造加工来说，依旧需要台积电和三星这两家企业来进行代工，因为全球只有这两家企业掌握了7nm制成工艺。无论是苹果，还是高通，还是华为，都只能选择台积电或者三星来代工生产。三星本质上是美国企业，台积电美方资本占股也超过了50%，背后意味着什么不言而喻。

实际上中国每面需要对外进口超过4000亿件芯片用于各行各业，总交易额超过3000亿美元，是芯片消费第一大国。但是目前台积电已经开始联合博通公司开发5nm制成的工艺技术，而中国的中芯国际刚刚在14nm成熟，往10nm方向发力的情况下，华为这样的企业，不仅仅是制造出一台光刻机就可以拯救的。

    我国的光刻机和荷兰ASML光刻机的差距，反映了我国和西方精密制造领域的差距。一台顶级的光刻机，关键零部件来自于不同的西方国家，美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承等，最麻烦的是，这些顶级零件对我国是禁运的。

    我国最好的光刻机厂商

    我国生产光刻机最好的企业是“上海微电子”，量产90nm工艺的光刻机，而荷兰ASML最新的额光刻机是7nm EUV光刻机，差距还是比较大的。上海微电子是一家系统集成商，不生产关键零部件，所以做不出高端光刻机，也不是它的责任。

    目前，能做好的就是上海微电子做好中低端光刻机，毕竟大多数的芯片不需要高端光刻机。做好了中低端，生存下去，慢慢培养国内的零部件商，一点一点往上做。

    荷兰ASML光刻机

    目前，荷兰的AMSL几乎垄断了高端光刻机市场，最先进的EUV光刻机只有ASML能够生产。我国的中芯国际曾经在2018年成功预定了一台EUV光刻机，但是至今仍未收到，原因相信众所周知，受到了某些外界因素的影响。不过，中芯国际在现有的技术上，已经实现了N+1，也就是7nm制程工艺。

    荷兰的ASML有一个非常奇特的规定“只有投资了ASML，才能优先获得供货权”。由于EUV光刻机产量有限，早早被“合作伙伴”预定，三星、英特尔、台积电、海力士等在AMSL都有可观的股份，可以说大半个半导体行业都是ASML一家的合作伙伴。

    除此之外，ASML的光刻机90%的零件均自外来，德国的光学设备、美国的计量设备等，ASML就是要做到精确控制。7nm的EUV光刻机分为13个系统，3万多个分件，要将误差分散到这13个系统中，可见ASML的“神乎其技”。也难怪上海微电子的人到ASML参观学习，ASML说“即便全套图纸给你们，也做不出来”。

    我们应该怎么做？

• ①充分利用国内的资金和政策支持。中兴事件告诉我们，不能对国外支持过于依赖，要有自己的核心技术；

• ②分散进攻，不可大包大揽。对于一些零件可以外包，甚至使用国外的零件，日后寻求替代，需要整合国家，甚至全世界的资源；

• ③使用坚持自主研发和进口替代。一定要掌握核心技术，有些东西虽然暂时有国外产品可以应用，但是人无远虑必有近忧，不能放弃对自主研发和核心技术的不懈追求。

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中国的光刻机在现有技术路径下，在非EUV光源领域（193nm液浸式），假以时日，是可以追上荷兰阿斯麦的，但在EUV（极紫外13.5nm光源）这条技术路线上，除非另开科技树，追上阿斯麦的可能性不大。这就是我们和荷兰光刻机技术的最关键差距，这已经不单纯是市场竞争问题，而是和太平洋对岸的米国有关，日本尼康（没错，造单反相机的那家公司）当初就吃过这个瘪，后面细说其中渊源。

前面有回答说，顶级光刻机（限定于非EUV）的关键零部件来自于不同的西方国家，这一点不假，但要说离不开德国（蔡司）的镜头、瑞典的轴承，这个有点稍显夸张，因为瑞典轴承这样的精密机械，随着国内机械工业进步，是可以点开这棵科技树的。

至于镜头，折射的镜头确实是蔡司的最好，但蔡司的镜头在EUV时代也被放弃了，因为相位差问题和EUV光线经过折射后能量损失较大，所以EUV光刻机改用镀膜反射镜头。

EUV是目前最顶级的光刻机，既然可以放弃蔡司的镜头，说明它还真不是制约顶级光刻机研发的最关键因素。

实际上，阿斯麦通过控股蔡司的方式，使蔡司镜头只能独家供应阿斯麦，但并没有垄断非EUV光刻机（目前垄断的是EUV光刻机），其它玩家还有日本的尼康和佳能，其中尼康的ArF(氟化氩光源)液浸式扫描光刻机和阿斯麦的同类光刻机有一拼，最高可以做到5nm.

当然，尼康的5nm说法有没有吹，无法确证，因为现在芯片制造领域，为了市场宣传需要，大喇叭们马力开足，混淆概念，自立标准，所以才出现了台积电7nm工艺制造的芯片晶体管密度竟然和英特尔10nm工艺的相当。

不过，有一点可以肯定，尼康的NSR-S635E光刻机实现中芯国际正在研发的7nm工艺问题不大。

说到这里，其实牵出另一个问题，一直到2009年之前，光刻机的市场，尼康还是老大，阿斯麦不过是后面追着跑的马仔，为何10来年过去，尼康在光刻机市场混得越发破落，让阿斯麦吃香喝辣呢？

除了尼康在液浸式光刻机上点错科技树，让阿斯麦借机上位外，最重要的是在研发EUV光刻机时，被米国一脚踢开，无缘EUV光刻机。

其中的故事，料很多很足，足可为我们镜鉴，但文字稍长，没有耐心不想深挖的网友可以离场了。

1997年，英特尔和米国能源部共同发起成立EUV LLC组织，汇聚了美国顶级的研究资源和芯片巨头，其中包括劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室等三大国家实验室，联合摩托罗拉（当时如日中天）、AMD等企业，投入2.25亿美元资金，集中了数百位顶尖科学家，只为一件事：EUV（极紫外）光刻机到底可不可行？

说白了，这是一项关于下一代光刻机的基础研究，成了的话，等于点开了新的科技树。

阿斯麦公司员工餐厅

当时美国光刻机企业已经衰落，市场上实力较强的主要是阿斯麦和尼康，佳能心比较大，眼看搞不过阿斯麦，掉头专心做显示器光刻行业了。因此，英特尔邀请尼康和阿斯麦一起参加EUV项目。当然，英特尔也不是助人为乐，而是考虑到有两家公司参与的话，将来不用担心被痛宰（参考苹果公司的第二供应商制度）。

但米国政府不乐意了，担心最前沿的技术落入外国公司手中，因此反对阿斯麦和尼康加入EUV LLC。从这里也可以看出，美国和它的盟友并不总是掏心掏肺。

阿斯麦对美国政府许下一大堆承诺后，勉强进入了EUV LLC这个超级朋友圈当一个小角色。

尼康则没有这么幸运，由于当时日本还被米国视为经济上的对手，在贸易上和日本掐个不停，所以直接被拒绝。

没有拿到EUV光刻机的入场券，尼康从此被关在高端芯片制造设备的门外，阿斯麦则垄断了EUV光刻机市场，尽管每台卖1.2亿美元，我们由于《瓦森纳协议》限制，有钱买不到，中芯国际向阿斯麦下的EUV光刻机单子，钱交了，货还在审批中。

芯片制造车间

在非EUV光刻机领域，有国产产品，性能落后一些，假以时日打磨，可以逐渐追上国际先进水平，但在EUV光刻机领域，我们完全是一片空白，这影响到了我们的晶圆代工厂芯片工艺制造，卡在7nm上不去。而EUV光刻技术又被米国牢牢把控，别怪阿斯麦，在整个项目中，前面说了，它也只是打酱油的。

这方面的详细内容，有兴趣的网友，可以参考我在头条号的文章《阿斯麦封神背后》。

所以，我们如何在EUV光刻技术上点开科技树，是当前的一个重大挑战，也关系到国产芯片的未来。

我国自主光刻机是紫外光刻，能到90nm，65nm，也有报道说22nm，14nm。14nm应该不可能，65nm是可靠的。

据报道，去年4月武汉光电国家研究中心的甘宗松团队，掌握了利用二束激光进行9nm芯片工艺制程的技术。这是不一样的技术，还在研究中。

荷兰现在是极紫外光刻技术，可到7nm5nm甚至更小。

但我认为我们国家和各企业非常重视这块，技术很快就能突破，超过难，跟上国际先进水平问题不大

我国的光刻机目前能做的只有90nm制程，而荷兰的ASML 最新EUV工艺光刻机可以做到7nm制程、6nm制程、5nm制程，并且一台顶级的光刻机需要上万个零部件，需要不同国家的各个顶级部件，售价也高达7亿人民币。

我们国家技术差就差在没有得到各个公司的顶级技术支持，以及国外对于光刻机关键部件的封锁。看完以下荷兰ASML光刻机为什么能够成功，就可以知道我们究竟差在哪里。

为什么荷兰能够做顶级光刻机

先来说说市场占有：

荷兰ASML公司是目前全球顶级光刻机的扛把子，虽然说尼康(Nikon)和佳能(Canon) 也能够提供商用的光刻机，但它们与ASML光刻机市场占有率相比还是差非常多，ASML占据了全球80%以上的份额。

1、独家供应支持和技术分明

制造光刻机所需要的镜片、光栅都是由德国和美国提供，这两样东西对我们国家来说都是禁止销售的，也就是我们有钱也不可能买的到。我们就以德国蔡司公司提供的镜头来说，据说这个工厂祖孙三代从事同一个职位，制造镜头技术根本不外传，镜片材质要做到均匀，需几十年到上百十年技术积淀。

再加之荷兰ASML公司有一个模式，那就是只有投资它的公司才能够优先得到他们的顶级光刻机。例如蔡司就是投资了ASML，占据了它超过20%的股份。这些公司不单单投资它，也给它提供最新的技术，这样它就不是孤军奋战状态，做到了技术分工。像三星、英特尔、台积电都对它有一定的投资，才能够优先获得它的最先顶级的光刻机。

2、荷兰对它足够重视

荷兰虽然是一个小国家，但它对知识产权特别的重视，这让ASML有很多自己的知识技术产权。一旦它拥有了这个产权，别人是不能够再使用，使用需要缴纳一定费用，这也就自然成就了ASML全球霸主的地位。

根据WTO公布的数据，近十年来，全球知识产权使用费出口排名中，荷兰（仅包括五年的数据）达到2392亿美元，仅次于美国和日本，超过英国，法国，德国等欧洲大国。

3、强大的研发投入

我们都知道华为投资超级多才造就了如今的海思麒麟处理器，而ASML的顶级光刻机也是一样。在2019年 荷兰ASML公司全球销售额大概是21亿欧元左右，它拿出了4.8亿欧元进行技术研发，研发费用占营收的比例达到22.8%。因此它的成功不是偶然，是必然。

我国光刻机现状

我们国家的光刻机主要是以上海微电子设备研究所的为主，它做的是国内比较先进的了，它的SMEE200系列光刻机只有90nm。其它的就更不能提了，例如合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺。

当时上海微电子的总经理去德国考察时，人家曾经明确的说，就算我们给你们全套的图纸，你们也不可能做出来我们这种光刻机。

它之所以能够说出这种话，也不是对我们的一种鄙视，而就是现实。因为这个光刻机堪称人类智慧集大成的产物，它被称为现代光学工业之花。曾经有人这样形容它的工作过程，就像坐在一架超音速飞行的飞机上时，拿着线头穿进另一架飞机上的针孔。

未来发展

虽然最近不断的有好消息，例如2018时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

但是与ASML比起来还是差很远，并且它是处于实验室阶段，想要真正商业化使用还是需要一段时间。而反观现在的ASML，它的EUV光刻机，已经可以达到7nm，甚至5nm。因此我们的光刻机还处于不利地位，需要很长一段路要走。

结语

通过以上的介绍大家就可以知道我们与他们究竟差在哪里，这并不能说我们不行。而是因为这个东西需要的部件太多了，也需要不同企业顶尖技术支持，只有把它们顶级技术进行整合才能够做出顶级光刻机。

而我们现在是肯定不行的，因为美国、欧盟对光刻机关键部件、技术都是严格封锁，有再多的钱都不一定会出售。我们差就差在没有整个行业顶级技术支持，以及先进的镜片支持。

我们要做的仍然是不断加大研发投入，就像海思麒麟处理器一样，只有不断投入研发，技术积累，各个行业紧密合作帮助才能够做出顶级光刻机。2G、3G、4G一直落后于人，5G我们做到了领先。虽然我们现在光刻机很弱，但是相信经过一段时间技术积累，我们仍旧可以做到领先，未来可期。

感谢您的阅读！

你可能会这样对比：

目前中国线上销售的是90nm光刻机；荷兰销售的是7nm EUV光刻机。怎么感觉中国的90nm光刻机应该更厉害呢？事实上，真的如此吗？

先了解，Xnm的意思？为什么说我们落后了？

所谓的nm意思是在芯片制造中，在它身上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。

上图中，芯片的电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，它的作用就是用来控制Source(源极)与Drain(漏级)的通断，而Gate(栅极)就是能够通过它的大小，控制电流的损耗，宽带如果很小，自然经过Gate的时间越短，损耗越小，处理器的功耗就越低！

比方是，Gate就像小兵，源级和漏级就像猛士，小兵越少，越容易通行！实际上，栅极的最小宽度(栅长)，就是X nm工艺中的数值。

未来，我们就是在不断的挑战摩尔定律，将不可能的栅长给控制的越来越低，这样才能够更好的将功耗给降低下来，性能给提升上来。

我们缺乏的是什么？

为什么荷兰可以做成7nm EUV的光刻机呢？这就要得益于荷兰的方式，ASML的一些巧妙的心思。

• 荷兰政府本身就一直在支持ASML的全球化，这是后盾的力量，也是它能够持续获得关注的地理优势。
• ASML总裁Peter Wennink说，高端的EUV光刻机永远不可能（被中国）模仿，据Wennink回应，因为受到来自美国的压力，荷兰扣留了EUV设备出口到中国的许可证。可见，在Wennink看来，中国很难做到7nm EUV光刻机。因为，一方面我们属于瓦森纳条约的清单中被阻止一员，另一方面，也是因为我们技术所限制。
  
  

其实，荷兰ASML的生产模式，决定了，ASML就很难会被模仿光刻机。

“因为我们是系统集成商，我们将数百家公司的技术整合在一起，为客户服务。”

光刻机有80000个零件，等等一些配件告诉我们，制造光刻机的不容易，荷兰ASML的聪明之处，让许多技术类企业都成了它的股东，技术能够共享，但是在我国很难！

难在哪里？难在我们还在遵循老规矩呢？

确实很难，因为我们不会将三星，台积电等等成为我们的股东，并且所谓的制约我们的技术，也很难呗提供。

我们只能一切靠自己，各种新的技术必须要进行不断革新，从源头上将光刻机的优势更好的发挥出来，比如武汉光电国家研究中心甘棕松团队，使用远场光学的办法，光刻出最小的9nm线宽的线段……未来还有很多的技术在不断的更新，打破束缚，我对于中国芯片是最看好的。

美国的打压不会长久生效，荷兰迟早要和中国合作。中国光刻机与荷兰的差别主要是在这一领域深耕的时间，以后的差距会逐步减少。

问题:中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？

回答：中国难就难在中国要一己之力对抗十多个国家的顶级工业。

大家都知道最好的光刻机是ASML的，而ASML是荷兰的。

ASML怎么起来，大家可能就不怎么知道的。ASML是欧美国家一起砸钱把它扶起来的。

当初，ASML不够钱，荷兰政府给它优惠，让它做光刻机；但是钱还是不够，美国的公司、英国的公司、韩国的公司，一起入股它，让它继续做光刻机；

后来，还是不够钱，ASML跟合作伙伴（也就是供应链）一起做技术，答应优先采用它们的零件，就是这样整个欧美一起砸钱下去，加上ASML争气，ASML才做成的。当初日本的尼康等企业也想做，但是钱不够，就无法做了。

ASML采用的是日本的刻蚀气体和胶、美国的光栅、德国蔡司的镜、瑞典最顶级的轴承英国顶级的制造机床等等。

ASML是在这种情况下，才能做成的最顶级的光刻机。

中国面临的情况

上面说到荷兰的ASML是集齐了欧美的力量扶起来的，但是中国不是，上面说到的顶级的零部件是对中国禁运的。

那就意味着，中国想要做最顶级的光刻机，要在刻蚀气体上超过日本；在光源上超过美国；在镜头上超过德国蔡司；在轴承上超过瑞典..........

要在某一方面，超过别人某一个国家成为顶尖真的很难了，中国因为被禁运这些零部件，要同时超过这么多国家在某些方面最顶尖的技术。更加可怕的是，我们是后来者，我们是从落后开始追赶的。

叶问也只能打十个啊，这里要超过的也不只十个了，而且个个都是高手。

不是我们不努力，而是实在有一点难啊。中海微电子(SMEE）已经有光刻机，但是目前只能吃下一些低端市场。

我们的路还很长啊！

区别可大了，国产最先进的是“SSA600/20步进扫描式DUV光刻机，最小工艺制程节点为90纳米，于2018年通过验收”。ASML的最先进光刻机是“EUV光刻机NXE:3600D，工艺制程节点可以达到3纳米，于2010年被制造来”。最大的差别就是在国际市场上:ASML的光刻机被抢着买，国产光刻机无人问津。

SSA600/20光刻机与NXE:3600D光刻机的差别之一:光源。

SSA600/20光刻机使用的是波长为193纳米的Arf准分子光源，由科益虹源制造，其频率应该是4Khz，功率为20W。而NXE:3600D光刻机使用的是波长为13.5纳米的EUV光源，其功率应该要大于350W。根据分辨率与光源波长和物镜数值孔径的关系式:CD=k1*(λ/NA)，λ就是光源的波长，NA既是物镜组的数值孔径。想要提高光刻机的分辨率(减小制程工艺节点)要么缩短光源的波长，要么增大物镜组的数值孔径。可见SSA600/20的光源波长是193纳米，而NXE:3600D光刻机的光源波长为13.5纳米，由此就可以看出两者工艺制成节点的差距有多大了。

SSA600/20光刻机与NXE:3600D光刻机的差别之二:物镜组。

SSA600/20光刻机用的国望光学制造的数值孔径为0.75的透镜组，而NXE:3600D光刻机使用的是德国蔡司公司制造的数值孔径为0.33的反光镜。要知道NXE:3600D光刻机使用的这种反光镜只有蔡司公司可以制造出来，这种反光镜的表面镀了80多层钼和硅制造的薄膜，每一层的薄膜的厚度都小于1纳米，且薄膜的粗糙度在0.1纳米级别。另外，反光镜的表面必须极为的平整，如果把镜片比作一个国家话，那么其最高点和最低点的距离在纳米级别，由此可知EUV反光镜的制造难度有多大。而SSA600/20使用的透镜组是由合成石英制造的，难度相对来说小一点。

SSA600/20光刻机与NXE:3600D光刻机的差别之三:双工件台。

SSA600/20光刻机使用的是华卓精科制造的DWS双工件台，其运动平均偏差4.5纳米，运动标准偏差7纳米，最大速度1.1米/秒，最大加速度2.4g。其主要采用了磁悬浮平面电机驱动，测量系统则是多轴激光干涉位移测量。而NXE:3600D光刻机使用的是ASML独立研制的双工件台其运动精度可是非常高的。要知道用于浸没式DUV光刻机的双工件台的运动平均偏差为2.5纳米，运动标准偏差为5纳米，貌似ASML的双工件台运动偏差为1纳米。所以说，差距还是挺大的。

以上三个部件的差距是最大的，此外还有就是光刻胶的差距。目前国内最大的光刻胶公司是北京科华，该公司已经制造出了EUV光刻机使用的光刻胶，但是DUV光刻机使用的光刻胶还在研发之中。国产DUV光刻机使用的光刻胶主要就是上海新阳研发的Arf光刻胶。

除了技术性能的差别之外，SSA600/20与NXE:3600系列在国际国内市场的占有率差别更大。在国际市场上ASML的光刻机占据了67%，其他被尼康和佳能分了。而在国内市场上上海微电子得产品占据了80%，其他20%应该是被ASML占据的。但是在EUV光刻机市场上，绝对被ASML垄断了，因为只有他一家可以制造出EUV光刻机。

当然了，国内也在尽力研发浸没式DUV光刻机，也就是将要被上海微电子制造出来的SSA800系列。据目前透漏出来的消息看，2021年将交付首台浸没式DUV光刻机，2030年制造出EUV光刻机。国产EUV光刻机的光刻胶已经被北京科华制造出来，且通过验收了。另外的双工件台，反光镜，光源都在研发之中，估计在2030年制造出EUV光刻机的希望还是挺大的，用10年的时间应该足够了。