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我来说说：TLC、MLC、SLC这三种区别。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快，寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电值。因此，要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度中等，寿命中等，价格比SLC便宜，约3000---10000次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，111、110、101、011、010、001、000。最大特点就是速度慢寿命短，约500-1000次擦写寿命，但价格是三者最低的。由于价格成本的原因，目前被广泛运用于消费级SSD中。

为什么TLC闪存这么受欢迎？

　　由于TLC采用不同的电压状态，加上存储密度大，击穿绝缘层次数也比其他介质多，加速绝缘层的损耗过程，导致TLC SSD的寿命比SLC、MLC短得多，同时可靠性、效能等方面存在问题。但是TLC也有自己的优势，TLC储存容量更大，成本相比MLC、SLC低廉许多。

　　随着TLC闪存技术的飞速发展,厂商不断的改进算法以及优化主控，TLC的P/E寿命由不到1000次提升到1000到2000次，同时TLC SSD性能及可靠性方面得到大大改善，在加上成本更低廉，TLC SSD因此赢得用户的青睐。

　　目前TLC正不断的蚕食着MLC消费级的份额，最后不出意外的话，TLC将完全占据主流消费级SSD市场，MLC则继续在高端领域发挥它作用。

科技发展的速度是我们无法所预估的，QLC闪存解决方案也一直在研究中，对厂商来说QLC的大容量低成本也是个不可抗拒的诱惑，如同当年TLC一样，QLC在速度和寿命上的问题随时可能被优化被解决。

　　当QLC SSD出现的时候，它带来的变化无法想象，也许没法马上的取代TLC SSD,但是机械硬盘却将会面临巨大的挑战，或许那个时候才跟机械硬盘say byebye。

首先要跟你说下什么是MLC什么是TLC，他们其实都是NAND闪存，本质上是Floating Gate MOSFET，利用通电与否代表1、0状态，数据写入闪存时会加电瞬间会产生强大的电场，这会破坏隧道氧化层的原子结合，脱离的电子就会上升到浮栅极上以形成电位变化，断电之后电子还会恢复正常位置，这样反复的断电-加压就形成了不同的电位信号。

SLC的每个cell单元只1个信号位，有0和1两种信号，所以每单元只能存储1bit的数据，MLC则有2个信号位，四种数据信号，每单元可存储2bit数据，TLC有3个信号位，八种数据信号，每单元可存储3bit数据，QLC有4个信号位，十六种数据信号，每单元可存储4bit数据。

然而随着每单元存储数据的增多，控制复杂度也随之上升，可靠性也随之下降，TLC的编程、擦除速度比MLC慢得多，闪存寿命也直线下降，MLC的P/E次数是3000-5000次，而TLC的P/E只有1000次，好点的可能做到1500次。

随着现在3D TLC闪存的量产，3D TLC的速度和耐久度都比传统的2D TLC好得多，当然了还是没MLC好，=不过3D TLC的表现确实很不错，大量TLC SSD准备换用3D TLC闪存了。

至于你想选选购128GB的固态硬盘，有钱的话当然可以考虑直接上MLC的SSD，然而现在低价的MLC SSD已经很难找了，特别是128GB这种小容量的，建兴T9京东现在还能买得到，用的是eMLC闪，耐久度比较好，不过要499元。TLC的选择就比较多，性能比较好的如三星850 120GB，价格449元，那些300元以下的价格就太低了不建议选购。如果主板有M.2接口的话可以考虑Intel 600p 128GB，速度比那些SATA的高不知道那里去了，价格也在500元内。

有必要纠结MLC还是TLC吗？

老调重弹，谈起SSD绕不过的问题就是颗粒选择。首先来了解一下SLC、MLC和TLC的区别，当然最近还有一个新秀即将登场，就是QLC。

SLC 和MLC分别是是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，以此类推，TLC和QLC即三层单元和四层单元的缩写。原理上解释的话，SLC也就是在一个单元上只存储1bit的数据，而MLC要存储2bits，TLC需要存储3bits，QLC则达到4bits数据。每个单元上存储的数据越多，结构也就越复杂，出错几率也就越高，需要更多的修正操作，理论性能也就更低。而由于每个存储单元在存储更多数据的情况下，访问也就更加频繁，磨损也就更大，相应的寿命也就更低。

但是，性能问题可以通过更强性能的主控和算法优化逐渐提升，3D NAND技术也很大程度上改善了性能。而寿命方面，即使是号称寿命大幅提高的3D TLC，终究不能和MLC相媲美。但如果TLC就真的不够用吗？

以250GB的三星970EVO为例，保修政策为5年或150TBW，5年为260周，则平均每周需要完成577GB的写入，平均每天82GB的写入，相当于每三天把硬盘数据重新更换一遍。这样的寿命对于大多数普通消费者来说基本不必担心。

固态硬盘越来越便宜，也越来越流行。更多此类驱动器的型号出现在市场中，这不仅因为新制造商正在提供其产品，还因为\"老玩家\"正在使用新技术。目前，大多数公司正在推出具有两种主要内存类型的 SSD 驱动器：MLC 和 TLC。在这篇文章中，我们将探讨这两者的主要区别是什么，以及哪种更适合于家用。

SSD驱动器的内存类型

固态驱动器正在使用闪存——基于半导体的有组织存储单元，以特殊方式分组。可以在SSD驱动器中有效使用的所有闪存按以下方式划分：通过读取和写入方法。现代的固态驱动器使用NAND存储器类型。通过数据存储的方法，SSD驱动器可以分为SLC和MLC。

您可以将此缩写解释为“单级单元格”和“多级单元格”。对于SLC存储器类型，一个单元最多可以包含一位数据，而在第二种情况下（当我们谈论MLC存储器类型时），一个单元中可以存储一位以上。在消费者固态驱动器中，主要使用MLC存储技术。TLC是MLC内存的一个亚种。标准MLC存储器将2位信息存储在一个单元中，而在TLC版本中，可将3位信息存储在一个存储单元中。也就是说，TLC也是一个多层单元。

TLC和MLC：哪一种更好？

如果您不想深入研究细节，我们可以说一般来说，MLC的内存类型比TLC更好，这就是为什么：这种类型的内存将延长20-30％；MLC比TLC更快。基于MLC内存的固态驱动器在运行时需要的能量更少。质量好的东西总是更昂贵，因此带有MLC存储器类型的固态驱动器，在大多数情况下将比具有TLC存储器类型的固态驱动器贵。

但是，如果您不介意细节并考虑在用户级别使用具有此类内存的SSD驱动器，那么值得一提的是，它们之间的差异并不是很大，并且并不总是有足够的理由来支付超额费用MLC内存。在其操作过程中，很大程度上取决于其他因素（例如，在连接接口上）。让我们研究几个选项：

• 工作速度

如果 TLC 和 MLC 上的 SSD 通过 SATA-3 协议连接，它们可能会显示相等的性能，尤其是在非常便宜的固态存储器方面。还应注意，如果 TLC 驱动器通过 PCI-E NVMe 接口连接到系统单元，则通过 PCI-E 使用 MLC 内存类型，其运行速度比 SSD 快；

• 功耗

当 TLC 和 MLC 内存都通过 SATA-3 协议连接时，它们将消耗的能量大致相同。但是，如果您通过 SATA-3 连接 TLC 内存，通过 PCI-E 连接 MLC 内存，您可能会注意到 SATA-3 上的选项消耗的能源减少数倍（最多十倍）。但同样需要注意的是，功耗的差异可能取决于许多其他因素，例如，SSD-drive 的制造商针对低能耗的优化。

总结，我们可以得出结论，没有一个完美的选择—— MLC或TLC。影响固态驱动器速度的因素很多。如果您购买基于 TLC 内存的容量 SSD 磁盘，则从某个制造商那里购买 SSD 磁盘比从另一家制造商购买 MLC 上的型号更好，同时成本相同。在消费者层面，任何购买者不应关注内存类型，而应关注特定驱动器的性能（此信息可以在制造商始终发布的测试中找到）。即使同一家公司的型号以不同的版本发布，尽管它们都具有相同的内存类型，但它们可能会表现出不同的性能。

在SSD内存中表示3D NAND，3D TLC或V-NAND的含义

购买者在选择固态硬盘时可能会注意到的另一个参数是3D NAND，3D TLC或V-NAND。根据制造商的不同，此属性的名称也不同，但是本质是相同的。如果看到这样的名称，则应该知道，在此类型号的驱动器中，所有闪存单元都位于芯片上的多层中，而如果没有这样的名称，则它们很可能叠加在一层中。多层存储比一层存储便宜，此外，制造商还指出它更可靠。

什么是TLC颗粒？与MLC、SLC区别

首先就要说说TLC是什么。简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒

SLC MLC TLC规格对比

TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。

可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗？事实不是这样，无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的，也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构

那么闪存的结构是什么样子的呢？请大家看上图，在对一个闪存单元编程的时候，电压加到控制栅极(control gate)上，形成一个电场，让电子穿过硅氧化物栅栏，达到浮动栅极(floating gate)。穿越过程完成后，控制栅极上的电压会立刻降回零，硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似，只不过电压加在硅基底(P-well)上。

SLC只需要两种电压状态就可以保存所有数据 但是TLC则需要8种

SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC、MLC和TLC三者的区别 SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命 MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命 TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命

简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。

1.固态硬盘就是用NandFlash来储存…Nand的特点是每一位只能由1变0…不能由0变1…8位1字节…528字节是一个page…2048-8192个page是一个block…很多block是一个zone…当想要写入数据时…就需要一个擦除erase操作…但erase是针对block的…也就是写一次写一个page…擦一次一个block…擦完才能写…读和写都不损耗Nand寿命…擦损害Nand寿命…

2.如果执行擦操作后…还是有的位仍然为0…就说明这个block坏了…一个block的寿命为1到无限次…可能有的怎么写都不坏…有的一次就坏…但Nand的平均寿命还是比较靠谱的…MLC每个block平均能3000次…TLC每个block评论能1000次…

3.减少擦写是提高寿命的关键…每次写数据总往已擦次数少的的block里写…再做个映射表…这个叫磨损均衡…问题是有的已擦次数少的block里有数据怎么办？先挪走…再写…这个就是你固态硬盘会掉速的原因…

4.这样硬盘的寿命就等于 Nand Block的擦写次数 乘以 硬盘block数量…也就是同样的TLC或MLC…容量越大…寿命越长…1T的固态就是128G的十倍寿命…如果MLC是3000次…TLC是1000次…那么100G的MLC和300G的TLC寿命一样…

5.这样我们就发现问题了…100G的MLC和300G的TLC寿命一样…那么如果我发明一个QLC只有500次擦写…那么600G的QLC也和100G的MLC寿命一样…以此类推…如果有个XLC寿命只有1次…那么300T的容量和100G的MLC寿命一样…

6.如果TLC价格是MLC的33%…那么MLC就死定了…如果QLC是MLC价格的17%…那么MLC也死定了…以此类推…最终完美的固态硬盘是300T容量只能写一次…

7.理论上...TLC是新技术新革命…TLC也应该是MLC价格的一半甚至更低…但现实不是这样…这是市场的问题…不是技术的问题…所以你感受不出TLC的伟大…

区别？对于普通用户来说，区别就是价格。由于实现存储的原理有点区别，SSD分为SLC,MLC,以及TLC,QLC，寿命由长到短，存储密度由低到高，每单位存储成本也是由高到低。

区别的细节就不描述了，这方面知识一搜一大把，但往往用户关心的，是：我该买什么样的SSD？

如果只是作为日常使用，不在乎资料的重要性，那么，现在市场上最多的TLC就可以满足需求，前提是正规厂家产品，而非前面爆出来的黑片门。日常使用情况下，在一个SSD的寿命周期内（大约10年），一般你是不会把SSD用到报废的。如果你是重度下载用户，可以选择MLC产品，相对寿命比TLC高太多。SLC就不推荐了，价高不说，打着灯笼也难以买到消费级的产品。

对于数据有较高要求的用户，建议购买HDD，量大！便宜！组raid1，数据安全有保障。最重要的，SSD一旦故障，数据基本就是无法恢复的，而HDD是可以修复数据的（当然，价格也不便宜）。

首先呢，我们来看一幅图片，看看各规格的数据,如下图：

TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，通俗点说就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。那么， TLC/MLC/SLC又是什么意思呢？其实，说白了它们就是固态硬盘中的闪存颗粒，从颗粒的寿命说，SLC>MLC>TLC这是不需要争辩的事实，当闪存封装到固态硬盘里后，固态硬盘的寿命就是个大家完全没必要纠结的概念了，TLC也好，MLC也罢，它们的设计寿命是远超我们预期的，因为固态硬盘有自己的“延寿”机制。

简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。

卡顿，不是所有用户都有这个问题，我觉得更多的是主控优化的问题，一块好的固态硬盘不是因为用了SLC或是MLC速度和稳定性就一定强于TLC，主控算法也是决定性能的关键，把一线大厂的MLC拿给二三流厂商组装，稳定性不一定会比一线厂商的TLC好。

若是自己购买的话，建议到中关村在线，京东，天猫上去查询自己比较中意的，可以选择多款进行对比，最优的也是最中意的，价格也相对便宜点，比起电脑城。希望能帮到你。

tlc最便宜，使用寿命最短，mlc使用寿命是tlc的两到三倍，价格高一点