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一说到芯片,我们就会说到纳米(nm),比如华为海思的990 5G SoC芯片就是用7nm工艺制程生产的芯片。纳米(nm)是长度尺寸的单位,先不说先进不先进的事,尺寸越小,它的生产难度就会越大,这个大家没有异议吧?

芯片由大规模数量的晶体管组成

芯片也可以称为集成电路,我们把晶体管、电阻、电容等集成到晶片上就成为集成电路了。大规模数量的晶体管集成在一起设计的电路,可以大大的提升性能,并且降低成本,尺寸更是可以大大的缩小。

为什么我们平常见到的芯片(集成电路)好像很简单,只是引脚比较多?是因为芯片经过了封装,只把功能引脚引出来,这样才可保护芯片,避免受到损伤。

芯片越小的确越先进

芯片越小,难度就越高,那为什么我们要把芯片做得那么小呢?比如手机,大家是不是喜欢又轻又薄的?如果光手机的芯片就有手掌那么大,手机还没做得轻薄吗?所以芯片尺寸超小,电子产品设计的灵活性越高。

芯片越小,成本越低,晶圆是生产芯片的关键材料,晶圆的价格是相当昂贵的,尺寸越小,同一块晶圆上就可以切割出更多数量的芯片了。

要提升芯片的性能,就需要更多CPU核心,也就需要集成更多晶体管,相同尺寸的芯片,要集成更多数量的晶体管,意味着单个晶体管的尺寸更小。晶体管之间的距离就更小的,它 们之间的电容就会减少,晶体管的开关频率就可以得到提升。

根据功率计算公式P=U x I =U x U / R,芯片的工作电压越高,它的功耗就越大,晶体管的尺寸变小后,导通电压也需要相应的减少,这样芯片的功耗就可以得到降低了。

晶体管数量越多,工作频率越高,功耗越低,也就代表芯片越先进了!

说是容易,但大家想想,纳米是什么概念?1纳米(nm)跟4个原子的大小差不多,1nm比细菌的长度还小得多,可想而知,要在晶片上做出7nm或者5nm宽度栅极的晶体管有多难了。

越先进的芯片,除了需要越先进的工生工艺和技术水平,还需要有先进的设备支持。ASML公司生产的极紫外光(EUV)光刻机就是必不可少的设备了,而紫外光(EUV)光刻机本身就是全球尖端科技的结晶。

台积电目前已经突破5nm的工艺,将会在2020年实现量产,而中芯国际目前也只能量产14nm的芯片。所以最近大家担台积电断供会对华为造成影响就是这个原因了!

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我们平时听到有关芯片的信息总是有某某芯片的尺寸是90nm、65nm、……、7nm等等。这里的XXnm就是单位芯片的单位纳米,专业用语叫做栅长,栅长是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度。通俗来讲,栅长可以理解为晶体管之间的距离或者叫芯片的集成度,擅长越小,晶体管排列越紧密,所占的体积也就越小,相对来说也就越先进。

所以,研发企业都争先恐后地缩小着栅长。理论上,栅长可以无限地减小。但事实上,栅长是有物理极限的,这个极限是7nm。这个7nm怎么来的呢?在芯片行业有个漏电效应,即当栅长减小时电子移动的距离缩短,容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动。也就是说当栅长特别小的时候,两个晶体管离得太近,其中的电子就可能直接通过两个晶体管间的硅板流到另一个晶体管中。宏观的表现就是耗能增加。

其实不是说到7nm才发生漏电效应,任何尺寸的芯片都多多少少会出现漏电效应,当栅长小于20nm的时候,漏电效应就已经很明显了,但是各个研发企业通过各种工艺的提高,可以解决这些漏电问题。当栅长小于7nm的时候还没有可行的办法解决,所以7nm也被芯片业成为是物理的极限。

不过目前美国科学家已经在实验室中试探1nm的芯片了,它的技术特点是不用硅做底板而是用石墨稀做底板。如果未来1nm的芯片商业化,那将是电子行业的一场革命。

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纳米是长度单位!芯片里的单位纳米,代表芯片(处理器、半导体)制造工艺的不同工艺阶段,根据国际半导体技术蓝图(ITRS)【2017年后不在更新,继任者是被国际设备和系统路线图(IRDS)】,对半导体制程过程节点的定义如下:

芯片的技术节点(工艺节点、节点等)指一个特定的半导体制造工艺和其设计规则,不同的节点通常意味着不同的电路设计和架构。通常,技术节点越小意味着特征尺寸越小,从而生产出更小且速度更快且功率效率更高的晶体管。从这个意义上讲,越小的技术节点(纳米数小),代表着生产难度更大,所需要的工艺水平越高,自然,技术也就越先进。


芯片中的纳米意味着什么?

纳米是什么米?纳米是用于测量长度的测量单位。1纳米等于一米的十亿分之一,因此,纳米绝对不是用来测量长距离的。相反,它们用于测量极小的物体,例如现代CPU中的原子结构或晶体管,单个纳米比毫米小一百万倍。所以,纳米非常小。

芯片中晶体管是什么结构?任何芯片、IC、处理器、内存或GPU都是由大量晶体管的集成制成的。由于此类芯片是在内部集成了大量晶体管制成的,通常将其称为IC(集成电路)。并且根据制造这种芯片组的集成晶体管的数量,将它们分为SSI(小规模集成),LSI(大规模集成)或VLSI(超大规模集成)。晶体管由于集成电路(例如计算机处理器)包含微观组件,因此纳米对于测量其尺寸非常有用。实际上,纳米定义了不同的处理器时代,代表处理器(芯片)制造工艺的不同工艺阶段,这基本上是一种工艺技术,其中包括所涉及的制造工艺(如光刻)和物理参数(如尺寸和厚度)等,其中数字定义了晶体管与CPU中其他组件之间的距离。

晶体管实质上由漏极(Drain),源极(Source)和栅极(Gate)组成。在源极和漏极之间有一条使电子(从而电流)流动的路径,称为通道。Gate负责控制通道的宽度。通道越宽,电子在通道中流动的速度越慢,反之亦然。处理器中提到的纳米技术是通道之间平均距离的度量。晶体管越小,源极与漏极之间的距离越小,形成栅极下方的导电沟道所需的电子或空穴的数量就越少。需要较小的输入电压以产生较少的功耗,栅极的最小宽度就是工艺制程中的X纳米。

处理器架构——纳米技术:任何芯片,无论是处理器,内存还是GPU,都是通过集成大量晶体管制成的。晶体管只是电子信号的开关,具有两种状态(ON/OFF)。纳米架构是晶体管的大小。尺寸越小,可将更多晶体管嵌入到处理器芯片中,从而增加其计算量。45nm,32nm,28nm,14nm,10nm和7nm基本上是采用新制造技术的晶体管的缩放比例。芯片的长度越短,电流(或信息)可以流过的速度就越快。同样,较短的芯片消耗的电压更少。


为什么纳米小一点好?

过程节点的大小(以纳米为单位)描述了芯片最小可能元素的大小。可以这样想象:如果芯片的设计是数字图像,则一个“像素”的大小将是处理大小。制程越小,可获得的分辨率越高。制造商可以使晶体管和其他组件更小。这意味着更多的晶体管可以塞满较小的物理空间。

在给定的空间中可以容纳的晶体管越多,处理能力就越大。芯片组上使用的每个晶体管都将具有较小的尺寸。因此,可以在芯片组内部封装更多数量的晶体管,这些晶体管的尺寸与以较大纳米距离制造的芯片组的尺寸相同。如果平均缩小晶体管的所有部分,则该晶体管的电性能不会改变。

在小型芯片组中制造大量晶体管的设施可提供更多功能。

较小的晶体管速度更快,这使它们可以以更高的时钟速率工作。这样可以提高性能。这是由于计算并行性和缓存大小的增加。因此,如果希望加快芯片速度或添加新功能,则最好的办法是缩小其晶体管的尺寸。

较小的工艺也具有较低的电容,从而允许晶体管以更少的能量更快地打开和关闭。晶体管可以打开和关闭的速度越快,它的工作速度就越快。以更少的能量导通和截止的晶体管效率更高,从而降低了处理器所需的工作功率或“动态功耗”。动态功耗较低的芯片将使电池耗电更慢,运行成本更低并且更加生态友好。

较小的芯片也更便宜。芯片是在圆形硅晶片上制成的。一个晶圆通常将包含数十个处理器管芯。较小的工艺尺寸将产生较小的管芯尺寸。而且,如果管芯尺寸较小,则可以在单个硅晶片上安装更多管芯。这导致制造效率的提高,降低了制造成本。开发新工艺确实需要大量投资,但是在收回成本之后,每个芯片的成本将大大下降。


较小的工艺规模有何弊端?

散热。尺寸较小时,由晶体管产生的热量将具有较小的散热面积,这可能会导致芯片组过热

较小的晶体管更难制造。随着晶体管的缩小,制造以尽可能高的时钟速度运行的芯片变得越来越困难。一些芯片将无法以最高速度运行,并且这些芯片将被“绑定”或标记为具有较低时钟速度或较小缓存的芯片。较小的工艺通常会以较低的时钟速度合并更多的芯片,因为制作“完美”的芯片更具挑战性。制造商小心翼翼地消除尽可能多的问题,但这通常归因于模拟世界不可避免的变化。

较小的晶体管也具有更大的“泄漏”。泄漏是晶体管在“关”位置时允许通过多少电流的度量。这意味着随着泄漏的增加,静态功耗或晶体管空闲时消耗的电量也会增加。泄漏量更大的芯片即使在不活动时也需要更多的功率,从而更快地消耗电池并降低运行效率。

较小的过程可能会降低产量,从而导致更少的全功能芯片。这可能导致生产延迟和短缺。这使得收回开发新工艺所需的投资更加困难。这种风险因素是任何新制造工艺的基础,但对于像半导体制造这样精确的工艺而言,风险尤其如此。


为什么纳米对智能手机如此重要?

移动互联网的飞速发展,带动了半导体行业的科技进步。在芯片制造领域,智能手机芯片的制作工艺和进度,大幅度的领先于传统的PC行业,是极具代表性的产业。追求更好、更快、更小的芯片是智能手机芯片不断前行的目标,这里就纳米对智能手机的影响展开。

谈论智能手机之绕不开的话题:纳米?在智能手机的世界中,不断看到终端制造厂商互相竞争,每年都在配备最新的X纳米处理器的同时发布旗舰智能手机。旗舰产品或任何智能手机必须具备的关键功能是性能、功耗和散热,在此基础上它应具有无滞后,快速且高效的界面,而这些都与“纳米”有关。智能手机的性能取决于各种因素,例如应用程序优化、RAM大小、操作系统和处理器的优化,而这其中,处理器的性能是重中之重,芯片制程工艺的数值是旗舰机比对的关键性能指标,相当于一个水杯的容量,决定着可以装多少水。下图统计了近年来Android手机在安兔兔上的跑分,但就芯片比对而言,制程的进步的确带来了性能的飞跃(蓝色:旗舰机,黄色:中端机,红色:低端机)。

移动处理器头痛的心脏健康指数——“纳米”,工艺节点越小,意味着跟高的性能、更低的功耗和更高的集成度,也就意味着单位生产力更高,智能手机的心脏——芯片更强。

为什么晶体管之间的距离,纳米很重要?智能手机是便携式设备,这意味着它的空间有限,只能有限地容纳其硬件部件。所以不能使用标准的计算机和笔记本电脑处理器,因为它们的尺寸很大,这意味着需要更好的散热系统,这只会有一个结果——“空间不足!”。因此,许多公司已经开发了非常小的间距晶体管,以适合纳米面积的小型处理器,从而使其与智能手机兼容。移动处理器中的是处理器内部晶体管之间的最短距离。高通、三星、联发科、华为和苹果是为智能手机开发“纳米”移动处理器的领先公司。近年来,移动处理器中的“纳米”计数一直在从12纳米减少到10纳米再到7纳米(高通骁龙865、华为麒麟990)。纳米制造工艺术语定义了处理器的尺寸。使用20nm晶体管,可以将大约2500亿个晶体管安装在指甲大小左右的硅晶片上。比如说有一个盒子可以容纳100个大小为10cm的橡皮擦,每个橡皮擦之间相距1cm。如果减少橡皮擦之间的长度,我们可以容纳更多的橡皮擦吧?在移动处理器中的纳米后面使用类似的逻辑。同样,如果减小处理器中晶体管之间的距离,则可以安装更多的晶体管。更多的晶体管紧密堆叠在一起,这意味着在减少处理的同时电子的传播路径。这意味着更快的处理能力,更少的热量产生和低功耗。因此,移动处理器中的纳米越小,效率和功能就越强大。

高通公司的Snapdragon 855是在7纳米FinFET处理器上设计的,与10纳米芯片相比,可提供高达45%的性能提升或25%的功耗降低。

晶体管可以看做是单个处理单元,制程越小,可以在同一区域内放置的晶体管就越多,芯片中晶体管集成度就越高,从而可以进行更快,更高效的芯片设计,芯片中的晶体管数量倾向于确定芯片的处理能力。


写在最后

智能手机处理器可能无法提供PC和服务器硬件的最佳性能,但是这些小芯片在制造工艺方面一直处于业界领先地位。智能手机芯片第一个制造出了10nm和7nm尺寸的芯片,看起来它们很快也将达到5nm。先进的制造技术为提高能效,减小芯片尺寸和提高晶体管密度铺平了道路。

如果不谈论摩尔定律,就无法提及纳米和晶体管密度。简而言之,摩尔定律预言了加工技术的持续改进水平。通常将芯片收缩的速度与摩尔的预测进行比较,以衡量技术进步是否在放缓。摩尔定律是一项古老的观察,观察到芯片上的晶体管数量每年都会翻番,而成本却减半,这种情况已经维持了很长时间,但是最近一直在放缓。

缩小工艺尺寸是很困难的,但是这样做的好处是促使制造商追求越来越小的工艺尺寸。由于有了这种推动力,消费者每两年就能获得更快,更高效的芯片。这些进步使像智能手机这样的技术奇迹成为可能,并将带来下一代技术成就。


以上是我的浅薄之见,欢迎指正,谢谢!

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运行内存越大的芯片越先进,现在电脑CPU的运行内存为8G,目前国内造不出来,空调芯片都运行内存为几个KB,国内可以制造出来但是成本太高,某些企业到外国去订货还便宜。

再者芯片面积越小越先进,目前中国的超级计算机虽然比美国先进,但是里面的芯片都是连接起来的,单个芯片都的面积比美国的要大,所以说中国的芯片技术比美国还要落后……个人观点,请指正

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很多人对这个芯片的纳米概念很模糊,曾经我也是一样的,后来看到国产芯片技术很落后,于是对这个概念开始了探究。现在谈一下自己对于这个纳米的理解。

有一些人认为这个纳米是指晶体管的之间关系,其实这个尺寸并不是晶体管的间距,而是晶体管内部电流从起点流向终点要经过一道闸门,而这个闸门的宽度就是芯片中所说的纳米单位。如下图是一个晶体管的图形,电流从Drain到Source要通过一个闸(红色的方块)这个就是所谓的闸门。


以 7 纳米为例,其制程是指在芯片中,线最小可以做到 17纳米的尺寸,下图为传统电晶体的长相,以此作为例子。缩小电晶体的最主要目的就是为了要减少耗电量,然而要缩小哪个部分才能达到这个目的?下图中的绿色块的宽度就是我们期望缩小的部分。把这个区域缩小成7纳米,我们就可以称其为7纳米芯片。缩小闸极长度,电流可以用更短的路径从 Drain 端到 Source 端。



看到这里你应该有一些明白了,简单的讲,就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上,现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管,这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成,电流从源极流入漏极,栅极则起到控制电流通断的作用。



手机处理器不同于一般的电脑处理器,一部手机中能够给它留下的尺寸是相当有限的。蚀刻尺寸越小,相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多,性能也就越强。



我国芯片行业起步晚,目前只能生产14纳米的芯片,那么为什么会这么难呢?我们先看个一组对比: 1 颗原子的大小大约为 0.1 纳米,在 10 纳米的情况下,一条线只有不到 100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。



如果无法想像这个难度,可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最后使他形成一个 10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。所以和能做出高技术的芯片国家相比我们有差距,还要探索,任重而道远!

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芯片的本质就是将大规模的集成电路小型化,并且封装在方寸之间的空间内。

英特尔10nm一个单位占面积54*44nm,每平方毫米1.008亿个晶体管。nm(纳米)跟厘米、分米、米一样是长度的度量单位,1纳米等于10的负9次方米。1纳米相当于4倍原子大小,是一根头发丝直径的10万分之一,比单个细菌(5微米)长度还要小得多。

芯片制造的过程就如同房子一样,先由晶圆作为地基,再层层往上堆叠电路和晶体管,完成所期望的造型。

芯片有各式各样封装形式

芯片封装最初定义是保护芯片免受周围环境的影响,包括来自物理、化学方面的影响。如今的芯片封装,是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁(芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接)。

芯片的工艺制程nm数越小代表越先进

根据国际半导体技术蓝图(ITRS)的规定,我们常所说的芯片14nm、12nm、10mm、7nm就是用来描述半导体制程工艺的节点代数,通常以晶体管的半节距(half-pitch)或栅极长度(gatelength)等特征尺寸来表示,以衡量集成电路工艺水平。

在不同半导体元件上,所描述的对象是不一样的,比如:在DRAM芯片中,描述的是在DRAM单元中两条金属线间最小允许间距Pitch值的一半长度Half-Pitch半节距长度;而用在CPU上时,描述的则是CPU晶体管中栅极的长度。

在电子显微镜下,32nm和22nm晶体管

但栅极长度并不代表一切,栅极之间的距离和内连接间距也是决定性能的关键要素,这两个距离决定了单位面积内晶体管的数量。

从晶体管密度来看,2014 年发布的英特尔14nm节点为每平方毫米3750万个晶体管,略低于台积电每平方毫米4800万及三星每平方毫米5100万水平。英特尔10nm节点晶体管密度为每平方毫米1.008亿个,三星7nm节点为每平方毫米1.0123亿,基本持平;台积电宣称初代7nm节点晶体管密度为16nm节点的约3倍、10nm节点的1.6倍,由此推算每平方毫米约8000万个晶体管,略低于英特尔10nm节点水平;而 2019 年台积电采用 EUV 工艺的 N7+节点也有望量产,晶体管密度提升20%,由此计算晶体管密度达到每平方毫米 1 亿个左右水平,将与英特尔、三星 2019 年量产工艺基本一致。

工艺制程的进步可以提高芯片的性能

性能的提高具体包括了三个方面:规模增大、频率提高、功耗下降。

  • 规模对应的工艺指标主要包括晶体管密度、栅极间距、最小金属间距等。
  • 频率和功耗对应指标主要包括栅极长度、鳍片高度等。

晶体管密度提高,可以扩大芯片的晶体管规模,增加并行工作的单元或核心,或者缩小芯片面积,提高良率并降低单位成本。

栅极长度越小,可使芯片的频率提高或者功耗下降。栅极长度缩小(或者沟道长度缩小)使得源极与漏极之间距离缩小,电子仅需流动较短的距离就能够运行,从而可以增加晶体管开关切换频率,提升芯片工作频率;另一方面,栅极长度缩小、电子流动距离减小可以减低内阻,降低所需导通电压,芯片工作电压降低,在相同工作频率下电压下降带来功耗降低(动态功耗 P=C*V^2*f,功耗与电压的平方、频率成正比)。

芯片频率的提高与功耗下降两个目标此消彼长,不可兼得。

晶体管的功耗包括静态功耗及动态功耗两部分。

  • 静态功耗是电路稳定时的功耗,即常规的电压乘电流;
  • 动态功耗指电容充放电功耗和短路功耗,即晶体管在做 1 和 0 的相互转换时会根据转换频率的高低产生不同大小的功耗;

根据登德尔缩放比例定律,晶体管面积的缩小使得其所消耗的电压以及电流会以差不多相同的比例缩小。

比如:晶体管的大小减半,静态功耗将会降至四分之一(电压电流同时减半)。

在产业初期根据登纳德缩放比例,设计者可以大大地提高芯片的时钟频率,因为提高频率所带来的更多的动态功耗会和减小的静态功耗相抵消。

大概在 2005 年之后,漏电现象的出现打破了原先登纳德所提出的定律,使得晶体管在往更小工艺制作时候的静态功耗不减反增,同时也带来了很大的热能转换,使得芯片的散热成为了急需解决的问题。

因而芯片已无法继续在增加频率的同时降低总体功耗,根据动态功耗 P=C*V^2*f 可以得出,频率提高与功耗下降两个目标的关系是此消彼长的,需要根据芯片设计可以在两者之间寻求平衡。

在栅极长度(或沟道长度)缩小到一定程度后,就很容易产生量子隧穿效应,会产生较大的电流泄漏问题。所以才出现FinFET即鳍式场效应晶体管技术,晶体管从2D平面结构进入3D鳍式结构,提高鳍片高度(FinHeight),可以减少漏电的发生,进一步提高性能或降低功耗。在FinFET结构中,三个表面被栅极围绕,能有效控制泄漏。提高鳍片高度,栅极对电流的控制能力更强,可控性的提高使得栅极能够使用更低的电压来切换开关,使用更少能量即可以开启/关闭。同时电子在三个表面流动,增加了流动电子量,进一步提高了性能。

持续提高芯片性能是先进制程的核心追求

历年先进制程均率先应用于旗舰级智能手机AP或计算机CPU等。手机主芯片通常采用最先进两代工艺打造,旗舰手机主芯片走在制程前沿,最先进制程推出后即开始采用,新制程出现后向下转移,而中低端手机主芯片通常采用次顶级制程打造。

目前7nm及10nm主要应用包括高端手机AP/SoC、个人电脑及服务器CPU、矿机ASIC 等。14nm主要应用包括中高端手机AP/SoC、显卡GPU、FPGA 等。较为成熟的28nm 节点主要应用包括中低端手机、平板、机顶盒、路由器等主芯片。

先进制程竞争已成为影响芯片决定因素

工艺提升对于芯片性能提升影响明显。工艺提升带来的作用有频率提升以及架构优化两个方面。一方面,工艺的提升与频率紧密相连,使得芯片主频得以提升;另一方面工艺提升带来晶体管规模的提升,从而支持更加复杂的微架构或核心,带来架构的提升。

随着制程节点进步,可以发现频率随工艺增长的斜率已经减缓,由于登德尔缩放定律的失效以及随之而来的散热问题,单纯持续提高芯片时钟频率变得不再现实,厂商也逐渐转而向低频多核架构的研究。


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把一米,切1亿分,其中一份是一纳米,这个长度是10个原子排成一排的长度。

理论上讲,芯片制造工艺尺寸越小,单位面积上能容纳的元器件个数就越多,因此芯片的运算能力就越强,越先进。

实际上呢,当芯片工艺小到一定程度,量子效应开始变的越来越明显,在芯片中行走的电子会发生量子隧穿效应,集成晶体管靠通电和断电来表示1和0,以此为基础进行运算。当发生量子隧穿效应,在断电的情况下,电子也可以通过,这导致0变成了1,使运算结果出错。

这是物理性质的制约,导致芯片工艺不可能做的无限小,目前已经接近这个极限了。

芯片工艺越小,集成元器件越多,放热也越多,散热也是一个制约因素。

因此,传统经典芯片,似乎已经达到运算能力的极限了。

这个时候,基于量子叠加态原理的量子计算机正在孕育,问题还很多,适用面狠窄,离普通民众还非常遥远。

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高端芯片在宣传的时候,都会宣传其工艺制程是多少纳米的,比如高通骁龙855和华为海思麒麟985都是7nm的工艺制程。这种工艺制程是由光刻机来实现的,而纳米本身是一种长度单位,纳米数体现了芯片工艺制程水平的高低。

1 芯片的纳米是什么意思

芯片制造中,一项重要的工艺流程就是蚀刻,该工艺是由光刻机来实现的,纳米数就代表了蚀刻尺寸,表示晶体管之间的最小距离或者一个单位的集体管能蚀刻在硅片上的最小尺寸。纳米数越小,代表工艺水平越先进,代表单位面积内所能蚀刻的晶体管也就越多。目前,台积电和三星能实现7nm的EUV蚀刻技术,而且已经量产,台积电的下一代5nm的蚀刻技术正在建厂。高端芯片的制造只有几家企业可以实现,如台积电、三星、英特尔等。

2 纳米是什么单位

纳米nm跟米m、厘米cm一样是一个长度单位,只不过这个单位非常小。我们知道1米等于100厘米等于1000毫米,而纳米代表的是10的负9次方米。人体头发的直径一般在80微米左右,而1微米等于1000纳米,纳米单位是微米单位的千分之一。可见,纳米的单位有多小。

3 纳米数越小工艺制程越先进

毋庸置疑,芯片的纳米数越小越先进。纳米数越小,所需要的光刻机的蚀刻水平越高,那么单位面积内所能蚀刻的晶体管数量也就越多。同样体积大小的芯片,纳米数越小,代表内含的集体管数量也就越多、运算单元也就越多、性能也就越强劲、功耗也就越低。现在的产品都向着小型化、微型化去发展,而性能越来越强劲,这就对芯片的工艺制程提出了更高的要求。

海思麒麟990 5G SOC就集成了103亿颗晶体管,而芯片本身还没有一枚硬币大。可见,芯片的蚀刻技术具有多高的技术含量。

以上就是这个问题的回答,如果您有其他的观点,可以在评论区留言讨论,如果您想获取更多的科技方面的前言技术,可以关注本头条号:玩转嵌入式。如果文章对您有所帮助,希望您点个赞转发一下。谢谢。

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芯片里面的纳米说的是制程工艺技术,那是不是越小越先进呢?如果你只想知道答案,那我告诉你,的确是越小越先进,如果你想知道啥是制程工艺技术,请往下看。

芯片IC发展遵循摩尔定律,尤其是在手机芯片上

摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。

摩尔定律是摩尔经过观测芯片IC的发展而得出的结论,并不是一个真正的定律,但是过去半个世纪芯片发展的确是遵循了这一定律。

那对于芯片制造来说,具体是什么遵循了摩尔定律呢?

芯片制程工艺是芯片制造厂商的技术,比如台积电、中芯国际。

纳米指的就是图中的红色长方体的宽度,那红色的长方体是起什么作用的呢?

我们可以把上图看成是一个晶体管,晶体管电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。

电流流动时会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低

而栅极的最小宽度(栅长),就是XXnm工艺中的数值,正常情况下数值越小越好。

对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。但当晶体管的尺寸缩小到一定程度(业内认为小于 10nm)时会产生量子效应,这时晶体管的特性将很难控制,芯片的生产难度就会成倍增长。

目前最先进的是3nm,很多人认为这个值已经接近摩尔定律极限了,数值不会再变小了。

目前这个技术是芯片制造中最卡脖子的技术,中芯国际目前量产技术是14nm,目前只能代工生产中低端芯片,据说已经拥有7nm技术,看今年能否实现量产。

我是非著名攻城狮,希望我的回答对您有用,感谢您的关注与支持!

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对,代工厂制程越先进的话,几纳米是集成电路中的金属线宽度,是芯片中最小元器件晶体管的尺寸,数字越小,表示制程越先进,单单位面积的芯片就可以容纳更多的晶体管,功耗会更小,性能会更好。

目前苹果,高通,华为,三星都想使用最先进的制程来生产高性能的旗舰手机处理器芯片。

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