手机的核心技术离不开最高端的设计，而这一方面中国的华为没有任何问题。实际上还有更为关键的技术就是芯片的生产，SOC芯片的生产已经达到了量产的7nm，它是三星和台积电的垄断性技术，而生产这些芯片需要的设备是同代的7nm极紫外光光刻机，也就是题主所说的荷兰的ASML。

由于美国担心中国在手机核心技术可控生产上追平甚至超过自己，让中国在整体架构上独立自主，而不是一直像MOV一样只购买他们应用层面的设备。美国给荷兰光刻机生产商施加了巨大的政治压力，迫使他们暂时放缓了对中芯国际订购的7nm极紫外光光刻机出口许可。

原来生产的14nm芯片采用的是EUV工艺，要进行升级换代需要更高级的光刻机，中芯N+1是一种脑洞大开的技术工艺，暂时绕开了新的机器，采用了DUV的技术。与上代芯片比较提升了大概20％的性能，降低了一半的功耗和三分之一的面积，由于是采用了四重曝光（用先进光刻机只需要一次，良品率也高），这样也就提高了成本，出品量率也降低了，而且生产的产品它并不等同于7nm，7nm提高的性能大概是35％。

只要是生产高端的SOC,光刻机一般是绕不过去的设备，到达5nm就没法再采用N+1的方式加工，我们在光刻机的制造上距离最先进的荷兰还有巨大的差距，不过我相信即使是继续封锁我们对于先进光刻机的采购，中芯一定会激发出潜力创造出一条令国人惊喜的路。

中芯国际的N+1跟ASML光刻机有什么区别？首先我必须指出这个问题逻辑不对，因为中芯国际的N+1的工艺也是要由ASML的光刻机来完成的，我估计题主的意思应该是中芯国际N+1制程工艺跟EUV光刻机的7nm工艺制程有什么区别吧，这样我详细说下中芯国际N+1的制程工艺究竟是怎么样的。

中芯国际N+1

首先要说明的是中芯国际的N+1是相比较14nm而言，也就是说性能的提升跟面积的减少都是以14nm为基准。

在2019年的第4季度，中芯国际就宣布攻克N+1的制程工艺，而中芯国际方面表示N+1与中芯国际14纳米制程比较，效能增加20%、功耗减少57%、逻辑面积减少63%、SoC 面积减少55%，但是在性能方面只提升20%，而真正的7nm的制程工艺性能方面是要提升30%，因此外界普遍认为中心国际N+1就是7nm的制程工艺其实错误的，中心国际的N+1应该是介意10nm至7nm之间才对，所以中芯国际对外表示不是7nm工艺，而是采用N+1来命名。

中芯国际N+1 VS 7nm

两者有区别吗，答案那肯定是有的：

• 首先N+1并未达到7nm的水准，所以第一个就是N+1的性能不如7nm。

• 第二按照中芯国际的说法，N+1的成本略低于7nm，大概低10%。
• 中芯国际的N+1采用是多重曝光的技术，多曝光一次，芯片的良率就会低一些，所以比EUV的极紫外光技术的良率要一些。

结语：芯片行业一向是高投入高回报，你别看美国人占据产业链上端，吃专利费，他的利润是建立在全产业上的！只要中国人找到了替代方法，剥离美国人，对方就会陷入利润枯竭，无法研发下一代技术的窘境。华为在5G和通讯技术上的崛起就是走这条路线。如今中芯国际也在重复昨天的故事，我们摆脱控制的过程，就是对方走向衰落的过程。

感谢您的阅读！

有了中芯国际的N＋1技术，就没有ASML什么事情了，我们要不要ASML的EUV 7nm都不重要了！这种说法完全忽略了ASML的厉害之处，也错误的估计了中芯国际的N＋1的技术优势！

了解中芯国际的N＋1——

其实，我们也知道作为中国目前少有的芯片代工厂，在之前它就已经非常杰熟练的掌握了14nmFinFET 制程工艺的量产。

可是，你也得知道目前台积电，三星都在5nm工艺制程上胶着了。好在，中芯国际的梁孟松提到了，中芯国际最新研发出了N+1和N+2工艺。

问题来了，因为他的话里提到了，这两种工艺非常接近7nm工艺。有些人就想当然认为这就是中芯国际的7nm工艺。对不起，你想岔了，虽然它的工艺很先进。但是，它的优势主要集中在——

N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63% 。

7nm还是7nm

虽然，技术进步了。可是，它还不是7nm工艺制程，它确实在接近7nm工艺，可是你也得知道的是——它和7nm工艺还有一定的距离。

中芯称——“N+1 的目标是低成本应用，与 7nm 相比，其优势在 10% 左右”。

其实，我比较看好的是N+2，还是需要EUV光刻机进行技术支持的。这也说明了，技术确实在进步，但是还是需要ASML的光刻机，才能更有更好的发挥。

未来我们只有突破荷兰光刻机的束缚，才能够真正的走上一条属于我们自己的路。而不是，即使技术发展，还得依赖ASML。

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中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？

题主问题的核心是中芯国际的N+1和ASML光刻机到底有什么区别？确实对于国人来说，也许是太着急，所以在中芯国际宣布N+1之后就大吹特吹的，我们可以理解这样的心情，但是随后中芯国际确实出来澄清了，N+1是内部代号，并不等于7nm，简单一点来说就是不是真正意义上的7nm。

因为从定位来看，中芯国际的发言人其实之前已经指出来了，重要的是成本低，与ASML可以生产7nm 的光刻机相比，成本要更低，具体在 10% 左右。当然和7nm还是没有办法相比的，要不然中芯国际也不会订购ASML的光刻机，当然现在希望不大，有其他国家在阻挠，还是要时间节点。

再者就是我们知道的现在中芯国际14nm已经相当成熟，所以其实N+1最主要的是相对于14nm的提升，比如性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，以及之后还有N+2系列那个成本就要更高了。

从实际提升的角度来说。虽然和7nm还有差距，不过实际功耗和芯片面积的缩小其实已经和7nm相差不大，主要是性能方面，不如ASML生产的7nm芯片，带来的35%性能提升。

总结：

其实我们知道，华为已经把部分芯片交给了中芯国际，因为虽然手机芯片可能工艺要求较高，但是对于现在工业方面所用芯片来说，14nm其实已经足够，而且中芯国际也在之前表示可以满足国内95%的芯片生产需求。

当然N+1还是不能代替真正的7nm，不过相对来说我们成本更低，功耗和发热，以及面积来说和7nm已经接近，最重要的是性能方面的差距，更加重要的是我们没有通过荷兰或者是其他国家的帮助，就可以生产接近7nm芯片的工艺水准，确实值得我们开心，而N+2工艺，确实让我们更加可期。

回答完毕

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去年，中芯国际表示开启基于14nm FinFET制程的量产芯片。同时，也在努力开发下一代主要节点(N+1)，与中芯国际自家的14nm制程相比，N+1可在性能提升20%的同时降低57%的功耗、并将逻辑面积减少了63%。目前N+1是否可达到台积电7nm可能存在一定疑问，应该能接近三星或者台积电10nm工艺。不过可以肯定的是N+1绕开了ASML的EUV光刻机，也可以算是没有光刻机的无奈之举吧。未来若能获得EUV光刻机，中芯可能才会真正达到量产7nm的水准。

    中芯国际发展高端芯片离不开ASML的EUV光刻机，但是由于众所周知的原因，至今中芯国际未收到2018年年底预定成功的ASML EUV光刻机。为了提高制程工艺，研发了N+1制程工艺。

    什么是N+1？

    N+1是与中芯国际的14nm制程工艺对比，效能提升了20%，功耗减少了57%，逻辑面积减少了63%，Soc面积减少了55%。从数据上来看，中芯国际的N+1与目前市面上的7nm相比，指标非常相似，实际功耗和稳定性差不多，唯一区别是性能提升了约20%，而市场基准是35%。

    因此，就功率和稳定性而言，可以称为7nm，性能方面可能比7nm差一些。N+1是中芯国际的官方代号，中芯国际也并未说就是7nm节点。

    EUV没搞定，7nm怎么办？

    中芯国际至今没有收到ASML的EUV光刻机，根据中芯国际的官方声明，EUV对于目前的N+1阶段是不必要的，后续的N+2相比N+1的差异性仅在于成本，性能方面与7nm相比，依然要差一些。

    如果中芯国际能够拿到ASML的EUV光刻机，那么对N+2将非常有用，可以用于N+2，同时可以加快推进5nm、3nm工艺的演进，毕竟台积电下半年就会推出5nm制程工艺的芯片。

    总之，“巧妇难为无米之炊”，缺少ASML的EUV光刻机，中芯国际虽然研制了N+1、N+2在成本上有所降低，但是性能上没有很大的提升。希望ASML方面能够履行诺言，尽快给中芯国际发货EUV光刻机。

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一、中芯的N+1是指芯片制造达到的节点技术

关于N+1，指的是中芯国际的芯片节点技术，去年中芯国际量产了14nm的芯片，而下一代芯片被称之为N+1，有人说这个技术和台积电的7nm工艺差不多。

因为根据中芯国际的说法，下一代工艺是N+1工艺，没有说具体的节点，只是称14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，而这就是台积电7nm的芯片指标。

二、ASML光刻机是用来制造芯片的设备

那么ASML的光刻机是什么，光刻机是芯片制造过程中不可缺少的一种设备，并且光刻机非常重要，因为光刻部分占了芯片制造部分的60%左右的工时。

可见所谓的N+1和ASML的光刻机根本就是两码事。但它们是有关联的，那就是目前国内生产了7nm芯片制造的光刻机，甚至全球也只有ASML能够生产制造7nm芯片的光刻机，所以中芯国际的N+1是依赖ASML的。

这两是两者的区别和联系，看似完全风马牛不相及的两个事情，但却是紧密联系在一起的。

中芯国际的N+1是指的是芯片的制程工艺，就像现在所说的14纳米，7纳米，5纳米，甚至3纳米制程的芯片。而阿斯麦公司的光刻机则是制造这些芯片的必备机器，中芯国际的N+1制程工艺的芯片与阿斯麦公司的光刻机根本就不是同一类，也无法放在一起进行比较，更没有什么区别。非要说区别的话，那就是中芯国际的N+1和N+2z制程工艺是用阿斯麦提供的深紫外DUV光刻机制造的。

目前来看，国际上芯片的最小制程为7纳米，2021年和2022年，台积电与三星分别量产5纳米制程的芯片和3纳米制程的芯片。而中芯国际目前已经可以生产14纳米制程的芯片了，与国际先进水平还差一代。为了追上世界发展潮流，中芯国际正在全力研发N+1和N+2制程工艺，其制造出的芯片性能，已经无限接近当今的7纳米制程了。但也只是接近而已，并不是真正的7纳米制程工艺。

据报道称:中芯国际采用N+1制程工艺的芯片相比于14nm制程工艺的芯片来说，其性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%。的确，中芯国际的N+1和N+2制程的工艺已经非常接近7纳米制程工艺了，但是这是用阿斯麦公司提供的光刻机制造的。因为国产光刻机目前只能量产90纳米制程的芯片。

尽管中芯国际的制程工艺还不如三星和台积电，但是其用14纳米制程的芯片良品率已经从3%上升至95%，达到了量产14纳米制程芯片的水平。也正是因为有了这个水平，才可以接手HW14纳米制程FinFET结构的芯片。由此可知，即便是没有阿斯麦公司出口的极紫外EUV光刻机，量产14纳米制程的芯片也没有什么技术难题。

但是当米国宣布凡是使用米国的设备，技术，专利的公司，向HW提供芯片时，必须要经过米国的同意，否则就对其进行制裁。这样一来，就比较难受了，毕竟阿斯麦的光刻机中，米国提供的部件占了25%，而且还是极为重要的的部件。所以说，中芯国际想要为HW制造QL芯片，就必须经过米国的同意才行，否则面临的就是制裁，有可能发生断供，断维修光刻机的事件。

在这个问题上，中芯国际也是左右为难，所以说发生这一切的根源就是国产光刻机无法达到量产14纳米，7纳米制程芯片的要求。不过，国产光刻机已经实现了22纳米制程的突破，只不过离量产芯片还有一段路要走。据报道称:是采用了365纳米波长的光源，可以用于制造22纳米制程的芯片，经过多次曝光后，可以制造10纳米制程的芯片。

总而言之，还是需要等待国产先进光刻机的突破，才可以破解这一局面。

#科技V计划#

很高兴国人越来越关心中国半导体的发展了，了解光刻机的重要性，作为懂得一些知识的创作者，根据自身的理解来先说一下什么是N+1？

中芯国际目前最先进的工艺是14nm工艺，再在14nm基础上进行工艺升级就可以做到N+1工艺，提升后功耗下降，性能提高，

那么中芯国际的N+1是怎么实现的呢？是通过购买的荷兰asml光刻机实现的，目前利用asml光刻机可以实现DUV 7nm工艺（N+1），有消息称目前中芯国际的N+1工艺进入客户了导入试产的阶段，这个客户有极大可能是华为，N+1工艺相比14nm功耗下降50%，性能提高20%，是性价比比较高的技术应用，中芯国际目前的工艺水平也是目前国内最先进的工艺水准。

中芯国际的工艺水平是利用荷兰asml实现的！期待国产光刻机能像中微的5nm刻蚀机一样取得突破，感谢对中国半导体的关注，希望能对你有帮助！

目前麒麟710A就是利用中芯国际工艺量产出来的芯片，搭载机型为华为荣耀play4T手机（见下图）

从数据上来看，中芯国际的N+1与目前市面上（ASML）的7nm相比，指标非常相似，实际功耗和稳定性差不多，唯一区别是性能提升了约20%，而市场基准是35%。所以还是有一定差距的，但是优势也是有的。

N+1与中芯国际的14nm制程工艺对比：

效能提升了20%，功耗减少了57%，逻辑面积减少了63%，Soc面积减少了55%。

虽然，技术是进步了。可是，它还不是7nm工艺制程，只是接近7nm工艺。